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Intel 14A工艺至关重要!2025年之后稳定领先

这几年,Intel以空前的力度推进先进制程工艺,希望以最快的速度反超台积电,重夺领先地位,现在又重申了这一路线,尤其是意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺,在未来巩固自己的领先地位。

目前,Intel正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标,Intel 7工艺、采用EUV极紫外光刻技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。

其中,Intel 3作为升级版,应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids,将在今年陆续发布,其中前者首次采用纯E核设计,最多288个。

Intel 20A和Intel 18A两个节点正在顺利推进中,分别相当于2nm、1.8nm,将继续采用EUV技术,并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。

凭借它们两个,Intel希望能在2025年重夺制程领先性。

Intel 14A工艺至关重要!2025年之后稳定领先

之后,Intel将继续采用创新技术,推进未来制程节点的开发和制造,以巩固领先性。

其中一个关键点就是High NA EUV技术,而数值孔径(NA)正是衡量收集和集中光线能力的指标。

通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统,High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率,从而有助于晶体管的进一步微缩。

作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点,Intel 14A 1.4nm级就将采用High NA EUV光刻技术。

为了制造出特征尺寸更小的晶体管,在集成High NA EUV光刻技术的同时,Intel也在同步开发新的晶体管结构,并改进工艺步骤,如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。

此外,Intel还公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的数个演化版本,以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。

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